功率半導體IGBT
功率半導體的作用是在轉換和控制電力時提高能量轉化效率（理想轉化率 100%）。
根據 IHS，2019 年全球功率半導體市場 400 億美金，19-25 年復合增速 4.5%；中國是全球最大的功率半導體消費國，2018 年市場需求規模達到 138 億美元，增速為 9.5%，占全球需求比例達 35.3%。功率半導體是電力電子裝置的必備，周期性相對較弱，行業整體增長穩健，功率龍頭英飛凌營是全球代表企業。
功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。功率半導體細分為功率器件（分立器件的一支）和功率 IC（集成電路的一支）。功率半導體的產品和技術創新，其目標都是為了提高能量轉化效率。
功率半導體產品梯次多，IGBT 是新一代功率半導體中最典型、增速最快的賽道。功率分立器件的演進路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中IGBT 是功率半導體新一代中的典型產品。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙極型三極管）和 MOSFET（絕緣柵型場效應管）組成的全控-電壓驅動的功率半導體， IGBT 既有 MOSFET 的開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點，又有 BJT 導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領域較為理想的開關器件，也被譽為“電力電子器件里的 CPU”。
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